Необходимость разработки оптических детонаторов показана в работах [1-3]. Уже созданы оптические детонаторы на основе модельного инициирующего взрывчатого вещества — азида серебра [4-6]. Необходимыми условиями реализации этого достижения явились: разработка кинетической модели инициирования взрывного разложения кристаллов и прессованных таблеток азида серебра [7], оценка элементарных стадий процесса [7-10], комплексное экспериментальное исследование кинетических эффектов взрывного разложения [7-12], в том числе — возможность целенаправленно варьировать чувствительность азида серебра к импульсному воздействию [4-13]. Основной недостаток оптических детонаторов на основе азида серебра — высокая чувствительность к удару, нагреванию, электрическим наводкам [4-13]. Для его кардинального устранения в цикле работ [1-3, 14-17] предложено использовать в качестве энергетического материала капсюля оптического детонатора бризантные взрывчатые вещества. Добавки наночастиц алюминия, кобальта, никеля, меди и некоторых других металлов в прессованные таблетки пентаэритриттетранитрата (PENT) способны увеличить чувствительность образца более чем в 100 раз [1-3, 14-17], что является экспериментальным доказательством реализации в этих образцах теплового взрыва в микроочаговом варианте [18-20]. В работах [1-3, 14-20] экспериментально и теоретически начато исследование возможностей минимизации критической (минимальной) плотности энергии инициирования (H2) при изменении радиуса и природы вводимых наночастиц, длины волны лазера и др. Часть работ [18-23] посвящена разработке (модернизации) микроочаговой модели теплового взрыва, как теоретической основы осознанного поиска материала капсюля оптического детонатора. Целью настоящей работы является дальнейшая разработка микроочаговой модели теплового взрыва: расчет зависимостей критической плотности энергии инициирования взрывного разложения нанокомпозитов на основе PENT от размеров допирующих наночастиц никеля и кобальта, сравнение полученных зависимостей, установление характеристических особенностей процесса взрывного разложения исследуемых объектов.
Численный эксперимент значительно ускоряет решение научных и особенно производственных задач [1-17, 24]. Процесс взрывного разложения энергетических материалов, инициированный импульсным лазерным излучением содержит ряд общих стадий [1-23]. В первую очередь — это процесс распространения энергии излучения в образце, включающий поглощение энергии лазера наночастицами металла, отражение от поверхностей образца и рассеяние в объеме прессованной таблетки. Экспериментальному исследованию этих процессов посвящены работы [24-29]. Поглощение энергии приводит к повышению температуры как наночастицы, так и ближайших к ней слоев энергетического материала. Инициируемая повышенной температурой химическая реакция способна либо привести к реализации самоускоряющегося режима, либо остановиться на локальном кратковременном повышении температуры с последующим быстрым охлаждением [1-3, 14-23]. В настоящей работе в рамках микроочаговой модели теплового взрыва PENT с наночастицами металлов рассчитаны максимальная поглощенная наночастицей плотность энергии импульса, не приводящая к взрыву образца (H1), и минимальная плотность энергии импульса, приводящая к взрывному разложению всего образца (H2). Моделирующий импульс имел временную форму функции ошибок с шириной на полувысоте 12 нс (как в работах [1-17]).
Рассчитаем зависимости H1 и H2 прессованных таблеток PENT с наночастицами никеля и кобальта радиусами (R) от 10 нм до 120 нм. В работах [1-23] разработана методика решения данной задачи. Модель пока не учитывает возможность усиления освещенности внутри образца за счет многократного рассеяния света, исследование которого начато в работах [24-29]. Воспользуемся микроочаговой моделью теплового взрыва композитов PENT — Ni и PENT — Со [1-3, 19]. Методике численного моделирования процесса посвящены работы [14-22]. Система дифференциальных уравнений (ДУ) в частных производных с заданными начальными и граничными условиями решалась через создание пространственной сетки с переменным шагом по координате. При этом возможно свести систему ДУ в частных производных к большой системе обыкновенных жестких ДУ. Полученная система обыкновенных ДУ решалась методом Рунге-Кутты 1-5 порядка с переменным шагом по времени при относительной погрешности на шаге интегрирования не хуже 10-14. Погрешность по точности выполнения закона сохранения энергии поглощаемого импульса — 2.5∙10-10. В настоящей работе методика расчета изменена в сторону максимального повышения точности расчета до величины 10-8. Для каждого радиуса наночастиц металлов в диапазоне от 10 нм до 120 нм рассчитывались значения H1 и H2 с относительной точности (H2 — H1)/H2 < 10-8.

На рисунке 1 приведены рассчитанные зависимости критической (минимальной) плотности энергии инициирования взрывного разложения прессованных таблеток PENT — Co (сплошная линия) и PENT — Ni (пунктир) от радиуса наночастиц при длительности лазерного импульса на полувысоте 12 нс. Точками нанесены результаты выполненных расчетов, линиями — аппроксимация. Рассчитанный с относительной точностью 10-8 по H2 и абсолютной точностью 0.1 нм по R положение глобального минимума зависимости H2(R) для системы PENT — Ni составило 64.0971758 мДж/см2 при R = 48.1 нм.
R, нм | H1 Co, Дж/см2 | H2 Co, Дж/см2 | H1 Ni, Дж/см2 | H2 Ni, Дж/см2 | (H2 Ni- H2 Co)/H2Ni,% |
10 | 0.136170749 | 0.136170750 | 0.136509555 | 0.136509556 | 0.24819239 |
15 | 0.0979284318 | 0.097928 | 0.098326591 | 0.098326592 | 0.40493633 |
20 | 0.081485410 | 0.081485411 | 0.081989847 | 0.081989848 | 0.61524330 |
25 | 0.072908448 | 0.072908449 | 0.0735288772 | 0.0735288776 | 0.84378903 |
30 | 0.068110572 | 0.068110573 | 0.068848122 | 0.068848123 | 1.07127086 |
35 | 0.0653497462 | 0.0653497465 | 0.066204096 | 0.066204097 | 1.29048007 |
40 | 0.0638247203 | 0.0638247206 | 0.0647946712 | 0.0647946716 | 1.49696103 |
45 | 0.0631029816 | 0.0631029819 | 0.064187115 | 0.064187116 | 1.68902152 |
50 | 0.0629310980 | 0.0629310983 | 0.0641280301 | 0.0641280304 | 1.86647262 |
55 | 0.063151064 | 0.063151065 | 0.06445952 | 0.06445953 | 2.02990122 |
60 | 0.0636594571 | 0.0636594575 | 0.0650783183 | 0.0650783187 | 2.18023639 |
65 | 0.0643858326 | 0.0643858329 | 0.0659140925 | 0.0659140929 | 2.31856326 |
70 | 0.0652806344 | 0.0652806347 | 0.0669174 | 0.06691741 | 2.44596330 |
75 | 0.0663080204 | 0.0663080207 | 0.0680525280 | 0.0680525284 | 2.56347216 |
80 | 0.0674414514 | 0.0674414518 | 0.069292994 | 0.0692929943 | 2.67204869 |
85 | 0.0686608745 | 0.0686608749 | 0.0706188265 | 0.0706188268 | 2.77256367 |
90 | 0.0699508670 | 0.0699508673 | 0.0720146624 | 0.0720146628 | 2.86579892 |
95 | 0.071299378 | 0.071299379 | 0.073468503 | 0.0734685034 | 2.95245477 |
100 | 0.0726968651 | 0.0726968655 | 0.074970845 | 0.074970846 | 3.03315344 |
105 | 0.0741356704 | 0.0741356708 | 0.0765140712 | 0.0765140716 | 3.10844893 |
110 | 0.075609586 | 0.075609587 | 0.0780920015 | 0.0780920019 | 3.17883344 |
115 | 0.0771135275 | 0.0771135279 | 0.079699575 | 0.079699576 | 3.24474508 |
120 | 0.0786438735 | 0.0786438739 | 0.081333292 | 0.081333293 | 3.30666460 |
Соответствующее значение для PENT — Co 62.9284704 мДж/см2 для радиуса наночастицы 49.4 нм. Расчет положения минимума зависимости H2(R) для отдельных металлов выполнялся в работах[1-3, 14-23], где определена природа минимума и выполнены аналитические выкладки, связывающие положение минимума с теплофизическими свойствами композита (матрицы и включений) и длительностью импульса. В настоящей работе впервые зависимости H1(R) и H2(R) рассчитаны для двух разных металлов (и одинаковой длительностью импульса на полувысоте). Рассчитанные значения H1 и H2для композитов на основе PENT и наночастиц Ni и Co приведены в таблице 1.
Сравнение результатов, приведенных во 2 и 4 столбцах таблицы 1 и рисунке 1, свидетельствуют о практическом совпадении значений H2 Niи H2 Co для относительно небольших размеров наночастиц. Для количественной оценки эффекта для каждого радиуса рассчитаем величину относительного отличия значений критической плотности энергии H2 Co и H2 Ni по выражению (H2 Ni- H2 Co)/H2 Ni * 100. Умножение на 100 переводит значение оцениваемой величины в более удобную процентную форму. Полученное выражение представлено в 5 столбце таблицы 1. Визуальный вывод подтверждается численными оценками: для 10 нм расхождение H2 для анализируемых металлов составляет менее ¼ процента, тогда как для 120 нм это величина возрастает более чем в 15 раз. Полученный результат свидетельствует о возможном наличии универсальной (независимой от природы металла) для данной длительности импульса зависимости H2(R) (при значении коэффициента эффективности поглощения наночастиц равном 1). Автор выражает благодарность научному руководителю профессору, доктору физико-математических наук, профессору А. В. Каленскому.